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工信部發(fā)布《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》

來(lái)源：CSPPLAZA光熱發(fā)電網(wǎng) | 0評(píng)論 | 6769查看 | 2013-08-29 18:33:00

　　CSPPLAZA光熱發(fā)電網(wǎng)訊：工信部日前組織起草了《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(征求意見稿)》，于27日向社會(huì)發(fā)布并公開征求意見。根據(jù)規(guī)定，將嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目。

　　工信部指出，為引導(dǎo)光伏制造行業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級(jí)，推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵(lì)創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則，制定光伏制造行業(yè)規(guī)范條件。

　　《條件》對(duì)光伏行業(yè)中多晶硅、硅棒、硅錠、硅片、電池、電池組件等制造領(lǐng)域的生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)、資源綜合利用及能耗、環(huán)境保護(hù)和質(zhì)量管理等方面做出了具體規(guī)定。

　　根據(jù)規(guī)定，將嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目。對(duì)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目，報(bào)行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為20%。在生產(chǎn)規(guī)模上，多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年；硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片；晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。同時(shí)，光伏制造企業(yè)每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬(wàn)元。

附全文：

　　為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，引導(dǎo)光伏制造行業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級(jí)，推動(dòng)我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國(guó)務(wù)院《關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》（國(guó)發(fā)[2013]24號(hào)）和國(guó)家有關(guān)法律法規(guī)及產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵(lì)創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則，特制定光伏制造行業(yè)規(guī)范條件。

　　一、生產(chǎn)布局與項(xiàng)目設(shè)立

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)及項(xiàng)目應(yīng)符合國(guó)家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求。

　?。ǘ┰趪?guó)家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級(jí)以上人民政府批準(zhǔn)的基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護(hù)區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項(xiàng)目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)逐步遷出。

　　（三）嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項(xiàng)目。對(duì)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目，報(bào)行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴(kuò)建光伏制造項(xiàng)目，最低資本金比例為20%。

　　二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

　?。ǘ┕夥圃炱髽I(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國(guó)境內(nèi)依法注冊(cè)成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級(jí)以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民幣；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第（三）款產(chǎn)能要求的50%。

　?。ㄈ┕夥圃炱髽I(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求：

　　1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模大于3000噸/年；

　　2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；

　　3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；

　　4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片；

　　5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；

　　6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；

　　7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。

　?。ㄋ模┈F(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》（GB/T25074）1級(jí)品的要求；

　　2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和17%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于14.5%和15.5%；

　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

　　（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級(jí)品以上要求；

　　2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和20%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。

　?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在2年內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。

　　三、資源綜合利用及能耗

　?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I(yè)和項(xiàng)目用地應(yīng)符合國(guó)家已出臺(tái)的土地使用標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)格保護(hù)耕地，節(jié)約集約用地。

　?。ǘ┕夥圃祉?xiàng)目能耗應(yīng)滿足以下要求：

　　1.現(xiàn)有多晶硅項(xiàng)目還原電耗小于80千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于140千瓦時(shí)/千克；新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克；

　　2.現(xiàn)有硅錠項(xiàng)目平均綜合能耗小于9千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于7千瓦時(shí)/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項(xiàng)目平均綜合能耗的增加幅度不得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克；

　　3.現(xiàn)有硅棒項(xiàng)目平均綜合能耗小于50千瓦時(shí)/千克，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于45千瓦時(shí)/千克；

　　4.現(xiàn)有多晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于60萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于55萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；現(xiàn)有單晶硅片項(xiàng)目平均綜合能耗小于40萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目小于35萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片；

　　5.電池項(xiàng)目平均綜合能耗小于15萬(wàn)千瓦時(shí)/ MWp；

　　6.晶硅電池組件項(xiàng)目平均綜合能耗小于8萬(wàn)千瓦時(shí)/ MWp；薄膜電池組件項(xiàng)目平均能耗小于50萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

　　（三）光伏制造項(xiàng)目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅項(xiàng)目水循環(huán)利用率不低于95%；

　　2.硅片項(xiàng)目水耗低于1400噸/百萬(wàn)片；

　　3.電池項(xiàng)目水耗低于1700噸/MWp。

　?。ㄋ模┢渌a(chǎn)單耗需滿足國(guó)家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

　　四、環(huán)境保護(hù)

　?。ㄒ唬┬陆ê透臄U(kuò)建光伏制造項(xiàng)目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)制度，未通過(guò)環(huán)境影響評(píng)價(jià)審批的項(xiàng)目不得開工建設(shè)。按照環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”要求，項(xiàng)目配套建設(shè)環(huán)境保護(hù)設(shè)施應(yīng)依法申請(qǐng)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，驗(yàn)收合格后方可投入生產(chǎn)運(yùn)行。企業(yè)應(yīng)有健全的企業(yè)環(huán)境管理機(jī)構(gòu)，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開展清潔生產(chǎn)審核。

　　（二）廢氣、廢水排放應(yīng)符合國(guó)家和地方大氣及水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)和總量控制要求；惡臭污染物排放應(yīng)符合《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554），對(duì)產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應(yīng)符合《危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18559）相關(guān)要求，SiCl4等危險(xiǎn)廢物應(yīng)委托具備相應(yīng)處理能力的有資質(zhì)單位進(jìn)行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB12348）。

　　（三）鼓勵(lì)企業(yè)通過(guò)ISO14001環(huán)境管理體系認(rèn)證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067碳足跡認(rèn)證。

　?。ㄋ模┕夥圃祉?xiàng)目應(yīng)按照環(huán)境影響報(bào)告書（表）及其批復(fù)、國(guó)家或地方污染物排放（控制）標(biāo)準(zhǔn)、環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測(cè)方案，開展自行監(jiān)測(cè)工作，公開自行監(jiān)測(cè)信息。

　　五、質(zhì)量管理

　?。ㄒ唬┕?

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